具有輸入電阻高（100000000～1000000000Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挕岱€(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)
導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開(kāi)關(guān)管能快速開(kāi)通且不存在上升沿的高頻振蕩。
工作時(shí)，柵源之間不加電壓，同增強(qiáng)型MOS管不同，漏源之間存在導(dǎo)電溝道，因此只要在漏源之間加正向電壓，就會(huì)產(chǎn)生漏極電流。并且，柵源之間加正向電壓時(shí)
電壓是影響可控硅開(kāi)關(guān)頻率的主要因素之一。可控硅必須遵循規(guī)定的峰值電壓和平均電壓，以保證正常工作和安全運(yùn)行。較高的電壓會(huì)導(dǎo)致可控硅的散熱增加，從而降低其開(kāi)關(guān)頻率
貼片二極管的正、負(fù)極的判別，通常觀察管子外殼標(biāo)示即可，當(dāng)遇到外殼標(biāo)示磨損嚴(yán)重時(shí)，可利用萬(wàn)用表歐姆檔進(jìn)行判別
供電電壓的突然升高。讓供電電源電壓突然升高的原因就很多了，例如電源的質(zhì)量問(wèn)題，或者用戶(hù)的不當(dāng)使用等等原因都可能讓供電的電源電壓突然升高
